IBM buat Memori 100x lebih cepat

IBM buat Memori 100x lebih cepat dari flash

IBM mengumumkan sebuah terobosan baru dalam teknologi memori komputer, dimana pengembangan solid-state chip yang dapat menyimpan data sebanyak flash NAND teknologi tapi dengan kemampuan 100 kali lipat dan umur jauh lebih panjang.

Saat ini, produk memori flash NAND, seperti SSD, telah mampu menulis data mencapai 2Gbit/sec. IBM mengatakan mereka telah menghasilkan fase perubahan memori (PCM) chip yang dapat menyimpan dua bit data per sel tanpa ada masalah corrupt data, sesuatu yang telah menjangkiti pengembangan PCM dari awal.
Seperti memori flash NAND, yang digunakan dalam solid state drive (SSD) dan tertanam dalam komputer seperti Apple MacBook Air, PCM nonvolatile - yang berarti tetap mempertahankan data setelah power supply dimatikan.
Pozidis mengatakan bahwa selama lima bulan terakhir, tim ilmuwan IBM telah menguji multi-level cell (MLC) chip yang mampu menyimpan dua dan akhirnya tiga bit data, menunjukkan bahwa ia dapat mencapai tingkat kehandalan yang cocok untuk aplikasi yang praktis.

Related Post:

0 comments:

Post a Comment

Berikan respon yang relevan. Salam semangat ^_^